SIOM OpenIR  > 高功率激光单元技术研发中心
非晶硫系玻璃半导体Ge(S,Se)_2薄膜的光致效应
刘启明; 干福熹
2002
Source Publication科学通报
Volume47Issue:8Pages:569
Abstract报道了GeS_2和GeSe_2非晶半导体薄膜经过光照后,薄膜的光学透射边均出现绿移,这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的,即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置。通过透射电子显微镜测试,在光照后的GeS_2和GeSe_2薄膜中观察到光致结晶现象。利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存领储材料。
SubtypeArticle
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:947595
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Document Type期刊论文
Version出版稿
Identifierhttp://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17962
Collection高功率激光单元技术研发中心
Affiliation1.刘启明, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国.
2.干福熹, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国.
Recommended Citation
GB/T 7714
刘启明,干福熹. 非晶硫系玻璃半导体Ge(S,Se)_2薄膜的光致效应[J]. 科学通报,2002,47(8):569.
APA 刘启明,&干福熹.(2002).非晶硫系玻璃半导体Ge(S,Se)_2薄膜的光致效应.科学通报,47(8),569.
MLA 刘启明,et al."非晶硫系玻璃半导体Ge(S,Se)_2薄膜的光致效应".科学通报 47.8(2002):569.
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