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半导体激光器热弛豫时间测试技术研究
其他题名Measurement of thermal relaxation time of semiconductor lasers
陈晨; 辛国锋; 刘锐; 瞿荣辉; 方祖捷
2006
发表期刊光子学报
ISSN1004-4213
卷号35期号:8页码:1142
摘要利用脉冲工作状态下半导体激光器激射光谱随结温升高发生红移的原理,用Boxcar扫描在一定波长下的半导体激光器光功率随脉冲时间的变化信号,测得其时间分辨光谱;根据对应的峰值光功率出现时刻随波长变化的曲线,计算得到热弛豫时间参量值.利用此方法对一种半导体激光器进行了测试,得到其热弛豫时间为1.2ms.
关键词激光技术 半导体激光器 热弛豫时间 时间分辨光谱
学科领域激光器 ; 半导体激光器
收录类别ei
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/1334
专题信息光学开放实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
陈晨,辛国锋,刘锐,等. 半导体激光器热弛豫时间测试技术研究[J]. 光子学报,2006,35(8):1142, 1145.
APA 陈晨,辛国锋,刘锐,瞿荣辉,&方祖捷.(2006).半导体激光器热弛豫时间测试技术研究.光子学报,35(8),1142.
MLA 陈晨,et al."半导体激光器热弛豫时间测试技术研究".光子学报 35.8(2006):1142.
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